① 课题来源与背景； 课题来源：广东省科技计划项目可见光通信技术及标准光组件（项目编号：：2014B010121002）； 课题背景：随着LED在照明、汽车、背光等领域进一步渗透，倒装技术-芯片尺寸封装受到美国Cree公司、荷兰Philips公司、韩国Samsung公司等国际巨头高度重视，并对我国形成技术封锁。本项目针对上述背景，跨界整合衬底、外延、芯片、封装与应用，研究“新型复合电极倒装芯片及薄膜衬底CSP封装与产业化技术，将极大促进我国半导体照明产业发展，提升LED技术国际竞争力，进一步巩固我省LED产业在国内领先地位。

    ② 技术原理及性能指标； 技术原理：研制具有复合电极结构的倒装LED芯片及薄膜衬底CSP封装器件。针对倒装LED芯片衬底背透射出光优化图形化蓝宝石衬底，并对GaN外延工艺进行优化；研究倒装LED芯片结构，为不同类型倒装芯片提供优越欧姆接触及均匀电流扩展；提出新型陶瓷薄膜衬底CSP 封装结构，解决固晶、薄膜衬底制备等技术难题；最后将倒装LED芯片与相关器件应用于照明与背光模组，形成具有自主知识产权的标准光组件，实现产业化。 性能指标：LED 芯片:波长范围: 450~460nm;电光转换效率>60% (电流密度>25A/cm2 ) 。 CSP封装器件:光效注1651m/W (显指>70 ， CCT: 5000~5500K ，芯片电流密度>25A/cm2 ) ;器件热阻小于7K/W;良率>95%。

    ③ 技术的创造性与先进性； （1）提出适用于倒装LED芯片的指-孔复合型（V-F）等大（芯片P/N Pad面积相等）电流扩展电极，实现最小发光面积损失与一次钝化等大电极制备，避免了由于P/N Pad面积不等造成的应力向P型Pad集中的问题。 （2）提出新型薄膜衬底（TFS）CSP封装LED器件制备方法，该方法创新性的采用半封装阵列磨削技术制备陶瓷薄膜，用作CSP封装衬底，薄膜厚度小于100μm，具有强度高、散热好，应力屏蔽能力强等优点，由该衬底制成的CSP LED器件可靠性高，可直接贴装于MCPCB之上，大大提高了LED应用的灵活性。 （3）提出了平面塑封-定距精密切割一体成形CSP LED荧光涂层制备方法，这种方法根据LED芯片尺寸，定量精确控制LED芯片侧面、顶面荧光涂层厚度，有助于提高器件光色品质与器件光色一致性。

    ④技术的成熟程度，适用范围和安全性； 采用项目中涉及的外延及芯片相关工艺技术制备的倒装芯片，达到电光转换效率>60%的标准，作为国星半导体批量生产，得到车灯，闪光灯等封装客户的使用。采用国星半导体倒装45mil芯片生产的陶瓷薄膜CSP器件进行二次封装的器件第三方检测，光效达到176lm/W@330mA 5300K R70.8，满足项目技术指标要求，CSP封装器件：光效》165lm/W(显指>70，CCT：5000-5500K，芯片电流密度>25A/cm2)；

    ④ 应用情况及存在的问题； 产品应用于COB模组，其中MC-P1919CW模组经过检查满足标准光组件要求，出具蚂标标识许可证；采用不同色温产品进行搭配，可实现较优的配光效果；产品发光角度大，应用于背光灯条，其中LP-PM1313经过检查满足标准光组件要求，出具蚂标标识许可证；产品用锡膏贴装在传统的SMD支架，用于照明市场，其中同一支架搭配两颗不同色温的产品可实现色温可调；产品贴装在高导热率的金属基板上，形成光源模组，可应用于车大灯，产品尺寸小，可满足车大灯高功率密度要求；产品尺寸小、厚度薄，可满足手机闪光灯要。